Проводимость собственных полупроводников, обусловленная квазичастицами - дырками, называется _ проводимостью
(*ответ*) дырочной
электронной
отрицательной
положительной
Проводимость собственных полупроводников, обусловленная электронами, называется _ проводимостью
(*ответ*) электронной
дырочной
отрицательной
положительной
Проникшие в базу дырки диффундируют по направлению к коллектору, причем при небольшой толщине базы значительная часть инжектированных дырок достигает коллектора - здесь дырки захватываются полем, действующим внутри перехода, вследствие чего изменяется _ коллектора
(*ответ*) ток
напряжение
сопротивление
проводимость
Протекание тока в цепи эмиттера обусловлено, в основном, движением _ (они являются основными носителями тока), и сопровождается их “впрыскиванием” - инжекцией - в область базы
(*ответ*) дырок
электронов
фотонов
Распределение электронов по различным квантовым состояниям подчиняется принципу _, согласно которому в одном состоянии не может быть двух одинаковых (с одинаковым набором четырех квантовых чисел) электронов, они должны отличаться какой-то характеристикой, например направлением спина
(*ответ*) Паули
Рассматривая непрерывный спектр частот осцилляторов, _ показал, что основной вклад в среднюю энергию квантового осциллятора вносят колебания низких частот, соответствующих упругим волнам
(*ответ*) П. Дебай
А. Эйнштейн
П. Капица
Л. Ландау
Н. Боголюбов
М. Планк
Расчеты показывают, что в случае полупроводников n-типа уровень Ферми при _ К расположен посередине между дном зоны проводимости и донорным уровнем
(*ответ*) 0
10
5
15
20
Рост примесной проводимости полупроводника с повышением температуры обусловлен в основном ростом _ примесных носителей
(*ответ*) концентрации
энергии
проводимости
мощности
Рост примесной проводимости полупроводника с повышением температуры обусловлен в основном ростом концентрации примесных носителей или из валентной зоны на акцепторные уровни в случае полупроводника р-типа - в результате возникает примесная фотопроводимость
(*ответ*) являющаяся чисто электронной для полупроводников n-типа и чисто дырочной для полупроводников р-типа
которая располагается посередине запрещенной зоны, как в собственном полупроводнике
которая располагается посередине между потолком валентной зоны и акцепторным уровнем
которая располагается посередине между дном зоны и донорным уровнем
С изменением температуры подвижность носителей меняется по сравнительно слабому степенному закону, а концентрация носителей - по очень сильному экспоненциальному закону - зависимость проводимости примесных полупроводников от температуры определяется температурной зависимостью _ тока в нем
(*ответ*) концентрации носителей
силы носителей
мощности носителей
уровней носителей