Если запрещенная зона достаточно узка (ΔE порядка 1 эВ), то переброс электронов из валентной зоны в зону проводимости может быть осуществлен сравнительно легко
(*ответ*) путем теплового возбуждения
(*ответ*) за счет внешнего источника, способного передать электронам энергию ΔE
путем магнитного возбуждения
путем электромагнитного возбуждения
Если направления внешнего и контактного полей противоположны, то основные носители тока втягиваются в контактный слой из объема полупроводника; толщина контактного слоя, обедненного основными носителями тока, и его сопротивление уменьшаются - в этом направлении, называемом _, электрический ток может проходить через контакт металл - полупроводник
(*ответ*) пропускным
полупропускным
контактным
свободным
Если привести в соприкосновение три разнородных проводника, имеющих одинаковую температуру, то разность потенциалов между концами разомкнутой цепи равна сумме _ скачков потенциала во всех контактах
(*ответ*) алгебраической
арифметической
общей
простого множества
Если сверхпроводящий образец поместить во внешнее магнитное поле, то в поверхностном слое металла появляется стационарный электрический ток, собственное магнитное поле которого имеет направление, прямо противоположное внешнему приложенному полю. В результате
(*ответ*) внутри сверхпроводника магнитное поле отсутствует
индукция магнитного поля внутри будет отлична от нуля
внутри сверхпроводника магнитное поле ослабевает
внутри сверхпроводника магнитное поле усиливается
внутри сверхпроводника магнитное поле близко к нулю
Если энергия теплового движения значительно меньше разности энергий соседних уровней энергии (kT<<ΔE), то при столкновении молекул вращательные и колебательные степени свободы практически не возбуждаются, поэтому при низких температурах поведение двухатомного газа подобно
(*ответ*) одноатомному
жидкости
твердому телу
фотонам
Запирающий контактный слой обладает односторонней (вентильной) проводимостью, т. е. при приложении к контакту внешнего электрического поля он пропускает ток практически только в одном направлении либо из
(*ответ*) металла в полупроводник
(*ответ*) полупроводника в металл
металла в диэлектрик
диэлектрика в металл
Зонная теория твердых тел позволила с единой точки зрения истолковать существование металлов, диэлектриков и полупроводников, объясняя различие в их электрических свойствах _ зон
(*ответ*) неодинаковым заполнением электронами разрешенных
(*ответ*) шириной запрещенных
резко отличающимся заполнением электронами разрешенных
глубиной запрещенных
Изучение явлений, происходящих при температурах, близких к 0 К, показало, что возможно макроскопическое квантование, т.е. квантование величин, характеризующих макроскопические тела, размеры которых в _ раз больше атомных размеров
(*ответ*) 105
104
106
107
Импульс фонона обладает своеобразным свойством: при столкновении фононов в кристалле их импульс может дискретными порциями передаваться кристаллической решетке, он при этом
(*ответ*) не сохраняется
сохраняется
сохраняется лишь частично
сохраняется лишь наполовину
Используя уравнение _ - основное уравнение динамики в нерелятивистской квантовой механике, - в принципе можно рассмотреть задачу о кристалле, например, найти возможные значения его энергии
(*ответ*) Шредингера
Гейзенберга
Планка
Бора
Эйнштейна